你的位置:开云app登录入口 > 开云足球 >

开云app DRAM价钱暴涨1922%!AI引爆超等周期,存储芯片穷乏何时休?

开云app DRAM价钱暴涨1922%!AI引爆超等周期,存储芯片穷乏何时休?

深圳华强北的DRAM交易商张宇林入行26年,从未见过如斯疯涨的行情。2026年1月底他告诉《财经》,已往内存涨四五倍就会掉头,如今DDR4单条价钱从2025岁首的不到3.2好意思元飙升至64.5好意思元,涨幅高达1922.8%,且没东谈主能预判后续涨势的绝顶。他正亲自履历一场前所未有的存储芯片超等周期,这场周期的脉搏,正跟着AI基建波浪的鼓动越跳越快。

这轮加价从DRAM内存领先启动,自2025年二季度起,各人行状器DRAM价钱沿途走高,现已向上2018年历史高点。TrendForce集邦磋议预测,2026年一季度DRAM内存涨幅超60%,后续三个季度捏续上行,全年产值将达4043亿好意思元,年增长率144%。紧随DRAM之后,2025年四季度NAND闪存也开启大涨形状,TrendForce瞻望2026年一季度NAND闪存涨幅达55%-60%,涨势将延续至年底,推动其年产值升至1473亿好意思元,年增长率112%。

主流存储芯片分为三类,各自承担不同功能:DRAM内存看成建树“职责台面”,临时存储运转数据保险贪图绽开,其中高带宽内存HBM是AI行状器的中枢刚需;NAND闪存如同“巨型仓库”,断电保留数据结束大容量存储;NOR闪存则是“本能响应库”,以高速率存储底层启动教导,三者臆度占据各人存储阛阓99%的份额,其中DRAM占比56%,NAND占41%,NOR仅占2%。

这场超等周期的根源,在于各人AI创新催生的超高需求与阛阓供给弹性不及的碰撞。现时存储芯片阛阓由三星、SK海力士、好意思光三巨头附近,臆度占据超95%的阛阓份额,供给革新节律完满被巨头掌控。传统存储周期死守“加价—扩产—弥散—降价—出清—缺货—再加价”轮回,扩产周期长达18至36个月,但这一轮周期被AI需求透顶冲破。AI行状器对HBM的爆发式需求,类似各人头部云厂商加码数据中心老本开支,奏凯导致存储芯片供需缺口捏续扩大。

供需失衡的近况也曾浸透到产业链各个步伐。媒体报谈夸耀,谷歌、微软和Meta等好意思国科技公司的采购员弥远小心在三星、SK海力士总部隔壁的栈房,只为争取更多DRAM订单,这些也曾的座上宾如今被戏称为“DRAM叫花子”。国内企业处境更为勤劳,某存储巨头中国区总代高管涌现,开云app登录源流供不应求下,总代无法完满中意大客户需求,中小客户只可转向芯片交易商寻货。新智惠念念等国内AI创业公司致使派东谈主带着现款奔赴各地交易商库房抢货,先打款再发货,却仍难逃被上游放鸽子的情况——张宇林我方就放了好几单下搭客户的鸽子,只因上游未能依期供货,而被误期的客户大多还会连续奉求他找货,足见芯片穷乏的严峻进度。

{jz:field.toptypename/}

第三方机构的弘扬也印证了这场穷乏的历史性。Counterpoint《2月内存价钱跟踪弘扬》夸耀,2026年一季度内存价钱环比高涨80%—90%,通用行状器DRAM是主要推手,NAND闪存同步高涨,类似HBM3e产物加价,阛阓呈现全品类加快高涨态势。TrendForce集邦磋议此前两次上调价钱预测,将2026年一季度Conventional DRAM合约价涨幅从55%—60%上修至90%—95%,NAND Flash合约价涨幅从33%—38%上调至55%—60%,且不排斥连续上调的可能。高盛更是大幅上调穷乏预期,瞻望2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达4.9%和2.5%,其中2026年的穷乏为已往15年之最。星河证券指出,2026年1月存储阛阓延续强势,三星、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调,NAND闪存供应价钱上调超100%,DRAM涨幅达60%—70%,供需缺口将推动加价周期延续至2026年年中。

多个泰斗机构巨额以为,这波存储芯片“超等牛市”将至少捏续到2027年,好意思光更是公开示意,2028年前存储芯片穷乏情况难以缓解。关于开阔数据中心、手机、汽车等卑劣末端厂商而言,如安在这场超长缺芯荒中保险供应链领略,将是接下来必须直面的中枢挑战。

{jz:field.toptypename/}

产业链及企业梳理

一、晶圆代工步伐

中芯国外:国内晶圆代工企业,可提供存储芯片关联代工行状。2026年2月流露其存储器、BCD工艺产物供不应求且价钱上调,AI、存储关联订单加多,2026年将连续保捏扩产节律。

华虹公司:聚焦特点工艺晶圆代工边界,布局存储关联工艺制程,2025年第四季度销售收入同比增长22.4%。

二、存储芯片假想步伐

兆易创新:主营NOR Flash、MCU及DRAM芯片假想,NOR Flash产物阛阓份额位居各人前哨。

澜起科技:专注内存接口芯片研发分娩,为行状器DRAM提供配套接口措置决策,产物专揽于行状器存储边界。

三、存储模组制造步伐

佰维存储:从事存储模组研发、分娩与销售,产物笼罩耗尽级、工业级及车规级存储模组。

江波龙:提供NAND Flash、DRAM存储模组及镶嵌式存储芯片,产物专揽于耗尽电子、工业等多边界。

阛阓有风险,投资需严慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不组成个东谈主投资冷落。

本文源自:阛阓资讯

作家:不雅察君





Copyright © 1998-2026 开云app登录入口™版权所有

lijingshb.com 备案号 备案号: 京ICP备2026011999号-10

技术支持:®开云app RSS地图 HTML地图